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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PYX28C64-20CWMB |
| 廠商： | PYRAMID SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8K x 8 EEPROM |
| 中文描述： | 8K X 8 EEPROM 5V, 200 ns, CDIP28 |
| 封裝： | 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28 |
| 文件頁數(shù)： | 4/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 159K |
| 代理商： | PYX28C64-20CWMB |
PYX28C64
Page 4 of 11
Document #
EEPROM101
REV B
AC CHARACTERISTICS—WRITE CYCLE
(V
CC
= 5V ± 10%, All Temperature Ranges)
(2)
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
WHWL1
t
EHEL1
t
AVEL
t
AVWL
t
ELAX
t
WLAX
t
WLEL
t
ELWL
t
WHEH
t
OHEL
t
OHWL
t
WHOL
t
ELEH
t
WLWH
t
DVEH
t
DVWH
t
EHDX
t
WHDX
t
EHEL2
t
WHWL2
t
ELWL
t
OVHWL
t
EHWH
t
WHOH
t
OHAV
t
WLWH2
V
H
Write Cycle Time
10
10
10
10
ms
Address Setup Time
20
20
20
20
ns
Address Hold Time
150
150
150
150
ns
Write Setup Time
0
0
0
0
ns
Write Hold Time
0
0
0
0
ns
OE
Setup Time
20
20
20
20
ns
OE
Hold Time
20
20
20
20
ns
WE
Pulse Width
150
150
150
150
ns
Data Setup Time
50
50
50
50
ns
Data Hold Time
10
10
10
10
ns
Byte Load Cycle Time
0.2
2
0.2
2
0.2
2
0.2
2
μs
CE
Setup Time
Output Setup Time
1
1
1
1
μs
1
1
1
1
μs
CE
Hold Time
OE
Hold Time
Erase Time
1
1
1
1
μs
1
1
1
1
μs
200
200
200
200
ms
Chip Erase Time
150
150
150
150
ns
High Voltage for Chip Clear
12
13
12
13
12
13
12
13
V
-300
-350
Unit
Symbol
Parameter
-200
-250
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PYX28C64-20L32M | 8K x 8 EEPROM |
| PYX28C64X-30L32MB | 8K x 8 EEPROM |
| PYX28C64X-35CWM | 8K x 8 EEPROM |
| PYX28C64X-35CWMB | 8K x 8 EEPROM |
| PYX28C64X-35L32M | 8K x 8 EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PYX28C64-20L32M | 制造商:PYRAMID 制造商全稱:Pyramid Semiconductor Corporation 功能描述:8K x 8 EEPROM |
| PYX28C64-20L32MB | 制造商:PYRAMID 制造商全稱:Pyramid Semiconductor Corporation 功能描述:8K x 8 EEPROM |
| PYX28C64-25CWM | 制造商:PYRAMID 制造商全稱:Pyramid Semiconductor Corporation 功能描述:8K x 8 EEPROM |
| PYX28C64-25CWMB | 制造商:PYRAMID 制造商全稱:Pyramid Semiconductor Corporation 功能描述:8K x 8 EEPROM |
| PYX28C64-25L32M | 制造商:PYRAMID 制造商全稱:Pyramid Semiconductor Corporation 功能描述:8K x 8 EEPROM |
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