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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PSS9012G |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 20 V PNP general purpose transistors |
| 中文描述： | 500 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-43, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 91K |
| 代理商： | PSS9012G |
2004 Aug 10
6
Philips Semiconductors
Product specification
20 V PNP general purpose transistors
PSS9012 series
handbook, halfpage
0
10
1
0.8
0.4
MLE076
1
10
IC (mA)
VBEsat
(V)
10
2
10
3
(1)
(2)
(3)
Fig.10 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
=
55
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 100
°
C.
handbook, halfpage
0
10
1
0.8
0.4
MLE077
1
10
IC (mA)
VBEsat
(V)
10
2
10
3
(1)
(2)
(3)
Fig.11 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
=
55
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 100
°
C.
handbook, halfpage
0
10
1
0.8
0.4
MLE074
1
10
IC (mA)
VBE
(V)
10
2
10
3
(1)
(2)
(3)
Fig.12 Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
V
CE
=
1 V.
(1) T
amb
=
55
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 100
°
C.
handbook, halfpage
0
10
1
0.8
0.4
MLE075
1
10
IC (mA)
VBE
(V)
10
2
10
3
(1)
(2)
(3)
Fig.13 Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
V
CE
=
2 V.
(1) T
amb
=
55
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 100
°
C.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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