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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PSS8550 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | PNP medium power 25 V transistor |
| 中文描述： | 進(jìn)步黨25 V中等功率晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 104K |
| 代理商： | PSS8550 |
2004 Aug 10
4
Philips Semiconductors
Product specification
PNP medium power 25 V transistor
PSS8550
handbook, halfpage
0
10
1
100
200
300
MLD958
1
IC (mA)
hFE
10
10
2
10
3
10
4
(1)
(2)
(3)
Fig.2
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
PSS8550C
V
CE
=
1 V.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
handbook, halfpage
VBE
(mV)
200
400
600
800
1000
MLD959
10
1
1
10
IC (mA)
10
3
10
2
10
4
(1)
(2)
(3)
Fig.3
Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
PSS8550C
V
CE
=
1 V.
(1) T
amb
=
55
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 150
°
C.
handbook, halfpage
10
1
1
10
10
2
10
3
10
4
10
10
2
3
MLD960
IC (mA)
VCEsat
(mV)
(1)
(3)
(2)
Fig.4
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
PSS8550C
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
handbook, halfpage
(mV)
200
400
600
800
1000
MLD962
10
1
1
10
IC (mA)
10
3
10
2
10
4
(1)
(2)
(3)
Fig.5
Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
PSS8550C
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
=
55
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 150
°
C.
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