參數(shù)資料
型號(hào)： PSD835G2V-B-90U
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers
中文描述： 在8片位微控制器可配置存儲(chǔ)系統(tǒng)
文件頁數(shù)： 87/110頁
文件大小： 570K
代理商： PSD835G2V-B-90U
PSD835G2
PSD8XX Family
77
NOTE: 1. Reset input has hysteresis. VIL1 is valid at or below .2VCC –.1. VIH1 is valid at or above .8VCC.
2. CSI deselected or internal Power Down mode is active.
3. PLD is in non-turbo mode and none of the inputs are switching
4. Refer to Figure 32 for PLD current calculation.
5. IO = 0 mA
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VCC
Supply Voltage
All Speeds
4.5
5
5.5
V
VIH
High Level Input Voltage
4.5 V < VCC < 5.5 V
2
VCC +.5
V
VIL
Low Level Input Voltage
4.5 V < VCC < 5.5 V
–.5
0.8
V
VIH1
Reset High Level Input Voltage
(Note 1)
.8 VCC
VCC +.5
V
VIL1
Reset Low Level Input Voltage
(Note 1)
–.5
.2 VCC –.1
V
VHYS
Reset Pin Hysteresis
0.3
V
VLKO
VCC Min for Flash Erase and Program
2.5
4.2
V
VOL
Output Low Voltage
IOL = 20 A, VCC = 4.5 V
0.01
0.1
V
IOL = 8 mA, VCC = 4.5 V
0.25
0.45
V
VOH
Output High Voltage Except VSTBY On
IOH = –20 A, VCC = 4.5 V
4.4
4.49
V
IOH = –2 mA, VCC = 4.5 V
2.4
3.9
V
VOH
1
Output High Voltage VSTBY On
IOH
1
= –1 A
VSBY – 0.8
V
VSBY
SRAM Standby Voltage
2.0
VCC
V
ISBY
SRAM Standby Current (VSTBY Pin)
VCC = 0 V
0.5
1
A
IIDLE
Idle Current (VSTBY Pin)
VCC > VSBY
–0.1
0.1
A
VDF
SRAM Data Retention Voltage
Only on VSTBY
2V
ISB
Standby Supply Current for Power
CSI > VCC –0.3 V
100
200
A
Down Mode
(Notes 2, 3 and 5)
ILI
Input Leakage Current
VSS < VIN < VCC
–1
±.1
1
A
ILO
Output Leakage Current
0.45 < VIN < VCC
–10
±5
10
A
IO
Output Current
Refer to IOL and IOH in
the VOL and VOH row
PLD_TURBO = OFF,
0mA
f = 0 MHz (Note 3)
PLD Only
PLD_TURBO = ON,
f = 0 MHz
400
700
A/PT
ICC (DC)
Operating Supply
During Flash Write/Erase
(Note 5)
Current
Flash
Only
15
30
mA
Read Only, f = 0 MHz
0
mA
SRAM
f = 0 MHz
0
mA
PLD AC Base
Fig. 32
ICC (AC)
(Note 4)
(Note 5)
FLASH AC Adder
2.5
3.5
mA/MHz
SRAM AC Adder
1.5
3.0
mA/MHz
PSD835G2 DC Characteristics (5 V ± 10% Versions)
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PDF描述
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PSD853F2-70M 功能描述:CPLD - 復(fù)雜可編程邏輯器件 5.0V 1M 70ns RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存儲(chǔ)類型:EEPROM 大電池?cái)?shù)量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時(shí)間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數(shù)量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100
PSD853F2-90J 功能描述:CPLD - 復(fù)雜可編程邏輯器件 5.0V 1M 90ns RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存儲(chǔ)類型:EEPROM 大電池?cái)?shù)量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時(shí)間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數(shù)量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100
PSD853F2-90JI 功能描述:CPLD - 復(fù)雜可編程邏輯器件 5.0V 1M 90ns RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存儲(chǔ)類型:EEPROM 大電池?cái)?shù)量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時(shí)間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數(shù)量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100
PSD853F2-90M 功能描述:CPLD - 復(fù)雜可編程邏輯器件 5.0V 1M 90ns RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存儲(chǔ)類型:EEPROM 大電池?cái)?shù)量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時(shí)間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數(shù)量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100
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