參數(shù)資料
型號(hào)： PSD835G2
英文描述： 100V 100kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-254AA Tabless package; Similar to IRHMJ57160 with optional Total Dose Rating of 1000kRads
中文描述： 可配置的存儲(chǔ)系統(tǒng)級(jí)芯片的8位微控制器
文件頁(yè)數(shù)： 93/110頁(yè)
文件大小： 570K
代理商： PSD835G2
PSD8XX Family
PSD835G2
92
-90
-12
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Min
Max
Unit
t
WLQV (PF)
WR to Data Propagation Delay
(Note 2)
40
43
ns
t
DVQV (PF)
Data to Port F Data Propagation
Delay
(Note 5)
35
38
ns
t
WHQZ (PF)
WR Invalid to Port F Tri-state
(Note 2)
33
33
ns
Port F Peripheral Data Mode Write Timing
(3.0 V to 3.6 V Versions)
Microcontroller Interface – PSD835G2 AC/DC Parameters
(3.0 V to 3.6 V Versions)
NOTES:
1.
RD timing has the same timing as DS and PSEN signals.
WR timing has the same timing as E and DS signals.
Any input used to select Port F Data Peripheral Mode.
Data is already stable on Port F.
Data stable on ADIO pins to data on Port F.
2.
3.
4.
5.
-90
-12
Turbo
Off
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Min
Max
Unit
t
AVQV (PF)
t
SLQV (PF)
Address Valid to Data Valid
(Note 3)
50
50
Add 20
ns
CSI Valid to Data Valid
35
40
Add 20
ns
RD to Data Valid
RD to Data Valid, 8031 Mode
Data In to Data Out Valid
(Notes 1 and 4)
35
45
34
40
45
38
ns
ns
ns
t
RLQV (PF)
t
DVQV (PF)
t
QXRH (PF)
t
RLRH (PF)
t
RHQZ (PF)
RD Data Hold Time
0
0
ns
RD Pulse Width
(Note 1)
35
36
ns
RD to Data High-Z
(Note 1)
38
40
ns
Port F Peripheral Data Mode Read Timing
(3.0 V to 3.6 V Versions)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PSD835G2V 150V 100kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a SMD-2 package. Also available with 300 kRads Total Dose Rating.; Similar to IRHNA67164 with optional Total Dose Rating of 300 kRads.
PSD835G2-B-12B81 Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers
PSD835F2-B-12B81 Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers
PSD835G2-C-12B81 Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers
PSD835F2-C-12B81 Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PSD835G2-70U 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 5.0V 4M 70ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
PSD835G2-90U 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 5.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
PSD835G2-90UI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 5.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
PSD835G2V-12UI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.0V 4M 120ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
PSD835G2V-90U 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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