分立半導體產(chǎn)品 SI3407DV-T1-GE3 晶體管

產(chǎn)品信息

SI3407DV-T1-GE3介紹;
描述 MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
詳細描述 表面貼裝 P 溝道 20V 8A(Tc) 2W(Ta),4.2W(Tc) 6-TSOP
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Vishay SilIConix
系列 TrenchFET?
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 8A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 63nC @ 10V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 1670pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2W(Ta),4.2W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 24 毫歐 @ 7.5A,4.5V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 6-TSOP
封裝/外殼 SOT-23-6 細型,TSOT-23-6

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晶體管(transistor)是一種固體半導體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
 
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