BSC190N15NS3G
產(chǎn)品種類: MOSFET
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V
Id-連續(xù)漏極電流: 50 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 16 mOhms Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
Qg-柵極電荷: 31 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 125 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
高度: 1.27 mm
長度: 5.9 mm
系列: OptiMOS 3
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: OptiMOS 3 Power-Transistor
寬度: 5.15 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 29 S
下降時(shí)間: 6 ns
上升時(shí)間: 53 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 25 ns
典型接通延遲時(shí)間: 15 ns
單位重量: 100 mg