LY5801
LIANYIWEI
20090806
SOT23-3
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LY5801低導(dǎo)通電阻PMOS管
LY5801是P溝道增強型功率場效應(yīng)管(MOSFET),采用高單元密度的DMOS溝道技術(shù)。這種高密度的工藝特別適用于減小導(dǎo)通電阻.它適用于低壓應(yīng)用,例如移動電話,筆記本電腦的電源管理和其他電池的電源電路。這種低損耗需采用小尺寸封裝。 特征 : 輸出電流(mA) <2800 ,最大輸入電壓(V) -20V ,封裝形式 SOT23-3 主要替代型號 SI2301
LY5802低導(dǎo)通電阻NMOS管
LY5802是N溝道增強型功率場效應(yīng)管(MOSFET),采用高單元密度的DMOS溝道技術(shù)。這種高密度的工藝特別適用于減小導(dǎo)通電阻。它適用于低壓應(yīng)用,例如移動電話,筆記本電腦的電源管理和其他電池的電源電路。這種低損耗可采用小尺寸封裝。 特 點 : 輸出電流(mA) <3000 ,最大輸入電壓(V) 20V ,封裝形式 SOT23-3 ,主要替代型號 SI2302 聯(lián)系人唐先生:15889404272
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