參數(shù)資料
型號: PN2222A
廠商: Rohm CO.,LTD.
英文描述: KPSE02E24-61PF0
中文描述: npn型中等功率晶體管(開關(guān))
文件頁數(shù): 3/6頁
文件大?。?/td> 113K
代理商: PN2222A
Thermal Characteristics
TA = 25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Characteristic
Max
Units
PN2222A
625
5.0
83.3
200
*PZT2222A
1,000
8.0
P
D
Total Device Dissipation
Derate above 25
°
C
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
mW
mW/
°
C
°
C/W
°
C/W
R
θ
JC
R
θ
JA
125
Symbol
Characteristic
Max
Units
**MMBT2222A
350
2.8
357
MMPQ2222
1,000
8.0
P
D
Total Device Dissipation
Derate above 25
°
C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
mW
mW/
°
C
°
°
C/W
°
C/W
R
θ
JA
Effective 4 Die
Each Die
125
240
Typical Characteristics
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
*
Device mounted on FR-4 PCB 36 mm X 18 mm X 1.5 mm; mounting pad for the collector lead min. 6 cm
2
.
**
Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
Base-Emitter ON Voltage vs
Collector Current
0.1
1
10
25
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
B
V = 5V
25 °C
125 °C
- 40 °C
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
1
10
100
500
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
B
β
= 10
25
°
C
125
°
C
- 40
°
C
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
1
10
100
500
0.1
0.2
0.3
0.4
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
C
25
°
C
β
= 10
125
°
C
- 40
°
C
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
0
100
200
300
400
500
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
F
125
°
C
25
°
C
- 40
°
C
V = 5V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PN2222A Mini size of Discrete semiconductor elements
PN2222A NPN General Purpose Amplifier
PN2222 General Purpose Transistor
PN2222 NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
PN2222A NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PN2222A AMO 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS SW WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PN2222A BULK 制造商:MCC 功能描述:General Purpose NPN Through Hole Transistor TO-92 Bulk
PN2222A T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS SW TAPE WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PN2222A,116 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS SW TAPE WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PN2222A,126 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS SW AMMO WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2