參數(shù)資料
型號： PMMT491
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： NPN BISS transistor
中文描述： NPN型BISS晶體管
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 42K
代理商： PMMT491
1999 Aug 04
2
Philips Semiconductors
Product specification
NPN BISS transistor
PMMT491A
FEATURES
High current (max. 1 A)
Low collector-emitter saturation voltage ensures
reduced power consumption.
APPLICATIONS
Batterypoweredunitswherehighcurrentandlowpower
consumption are important.
DESCRIPTION
NPN BISS (Breakthrough In Small Signal) transistor in a
SOT23 plastic package. PNP complement: PMMT591A.
MARKING
Note
1.
= p: Made in Hong Kong.
= t: Made in Malaysia.
PINNING
TYPE NUMBER
MARKING CODE
(1)
9A
PMMT491A
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base
emitter
collector
Fig.1 Simplified outline (SOT23) and symbol.
handbook, halfpage
2
1
3
MAM255
Top view
2
3
1
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
open base
open collector
65
65
40
40
5
1
2
1
250
+150
150
+150
V
V
V
A
A
A
mW
°
C
°
C
°
C
T
amb
≤
25
°
C; note 1
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