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參數(shù)資料
| 型號： | PM50302F |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel Power MOS FET Module(N溝道功率MOSFET模塊) |
| 中文描述： | 硅N溝道功率場效應(yīng)晶體管模塊（不適用溝道功率MOSFET的模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 65K |
| 代理商： | PM50302F |
PM50302F
5
10
8
20
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
D
D
8
2
4
12
16
0
4
6
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
Pulse Test
45 A
I
D
= 15 A
30 A
0.5
Drain Current I
D
(A)
S
R
D
)
0.2
0.02
0.01
0.05
0.1
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
Pulse Test
0.005
100
V
GS
= 10 V
15 V
2
5
10
20
50
200
0.3
40
160
Case Temperature T
C
(°C)
S
R
D
)
0
80
120
0
–40
0.2
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
V
= 10 V
Pulse Test
I
D
= 15 A
45 A
30 A
0.1
50
1.0
20
Drain Current I
D
(A)
10
1.0
2
10
5
2
0.5
5
F
y
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
20
V
= 10 V
Pulse Test
75°C
T
C
= 25°C
50
–25°C
0.5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PM5050J | Silicon N-Channel Power MOS FET Module(N溝道功率MOSFET模塊) |
| PM5075J | Silicon N-Channel Power MOS FET Module(N溝道功率MOSFET模塊) |
| PMA0207 | Metal Film Resistors, Precision, High Stability |
| PMA | Precision Resistor |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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