參數(shù)資料
型號(hào): PM4575J
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon N-Channel Power MOS FET Module(N溝道功率MOSFET模塊)
中文描述: 硅N溝道功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管模塊(不適用溝道功率MOSFET的模塊)
文件頁(yè)數(shù): 8/10頁(yè)
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代理商: PM4575J
PM4575J
8
100
80
60
40
20
0
0.4
0.8
1.2
1.6
Source to Drain Voltage V (V)
R
D
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
Pulse Test
V = 0, –5 V
V = 10 V
2.0
1
0.1
0.01
0.001
100
μ
1 m
10 m
100 m
1
10
Pulse Width PW (s)
P
DM
PW
T
D =
T
PW
θ
ch – C (t) = (t) · ch – C
ch – C = 0.385°C/W, T = 25°C
θ
N
γ
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P.G.
Vin
10 V
50
Vin Monitor
Switching Time Test Circuit
D.U.T
Vout Monitor
R
L
V ..
t
t
t
t
10 %
90 %
Waveforms
10 %
Vin
Vout
90 %
10 %
90 %
f (on)
r
d (off)
f
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PDF描述
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參數(shù)描述
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PM4604-005 制造商:Delphi Corporation 功能描述:TAPE
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