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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PM45302F |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET Module(N溝道MOSFET模塊) |
| 中文描述： | 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管模塊（不適用溝道MOSFET的模塊） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 67K |
| 代理商： | PM45302F |
PM45302F
2
Outline
LF-F
Equivalent Circuit
No
S1
D1
S2
D2
G1
S1
G2
S2
Electrode
Source 1
Drain 1
Source 2
Drain 2
Gate 1
Source 1
Gate 2
Source 2
Terminals
M4 screw
M4 screw
M4 screw
M4 screw
#110
#110
#110
#110
Remarks
Power terminal
Signal terminals
D2
S2
D1
G2
S2
S1
G1
S1
D2
D1
S2
S1
G2
S2
G1
S1
Rg
Rg
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C) (Per FET chip)
Item
Symbol
Rating
Unit
Drain source voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(peak)
I
DR
I
DR(peak)
P
D
*
Tch
450
V
Gate source voltage
±20
V
Drain current
30
A
Drain peak current
60
A
Body to drain diode reverse drain current
30
A
Body to drain diode reverse drain peak current
60
A
Channel dissipation
1
200
W
Channel temperature
150
°C
Storage temperature
Tstg
–45 to +125
°C
Insulation dielectric
Notes 1. Value at Tc = 25°C
2. Base to terminals AC 1 minute
Visol*
2
2000
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| PM4575J | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Power MOS FET Module |
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