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參數資料
| 型號： | PIC18F24K20-I/SP |
| 廠商： | Microchip Technology |
| 文件頁數： | 9/42頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC PIC MCU FLASH 8KX16 28-DIP |
| 產品培訓模塊： | PIC18 K-Series XLP Deep Sleep Mode 8-bit PIC® Microcontroller Portfolio |
| 標準包裝： | 15 |
| 系列： | PIC® XLP™ 18F |
| 核心處理器： | PIC |
| 芯體尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 64MHz |
| 連通性： | I²C，SPI，UART/USART |
| 外圍設備： | 欠壓檢測/復位，HLVD，POR，PWM，WDT |
| 輸入/輸出數： | 24 |
| 程序存儲器容量： | 16KB（8K x 16） |
| 程序存儲器類型： | 閃存 |
| EEPROM 大?。?/td> | 256 x 8 |
| RAM 容量： | 768 x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 1.8 V ~ 3.6 V |
| 數據轉換器： | A/D 11x10b |
| 振蕩器型： | 內部 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 28-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 包裝： | 管件 |
| 產品目錄頁面： | 656 (CN2011-ZH PDF) |
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2009 Microchip Technology Inc.
Advance Information
DS41297F-page 17
PIC18F2XK20/4XK20
3.2
Code Memory Programming
Programming code memory is accomplished by first
loading data into the write buffer and then initiating a
programming sequence. The write and erase buffer
sizes shown in Table 3-4 can be mapped to any loca-
tion of the same size beginning at 000000h. The actual
memory write sequence takes the contents of this buf-
fer and programs the proper amount of code memory
that contains the Table Pointer.
The programming duration is externally timed and is
controlled by PGC. After a Start Programming
command is issued (4-bit command, ‘1111’), a NOP is
issued, where the 4th PGC is held high for the duration
of the programming time, P9.
After PGC is brought low, the programming sequence
is terminated. PGC must be held low for the time
specified by parameter P10 to allow high-voltage
discharge of the memory array.
The code sequence to program a PIC18F2XK20/
4XK20 device is shown in Table 3-5. The flowchart
shown in Figure 3-4 depicts the logic necessary to
completely write a PIC18F2XK20/4XK20 device. The
timing diagram that details the Start Programming
command and parameters P9 and P10 is shown in
TABLE 3-4:
WRITE AND ERASE BUFFER SIZES
TABLE 3-5:
WRITE CODE MEMORY CODE SEQUENCE
Note:
The TBLPTR register must point to the
same region when initiating the program-
ming sequence as it did when the write
buffers were loaded.
Devices (Arranged by Family)
Write Buffer Size
(bytes)
Erase Size (bytes)
PIC18F26K20, PIC18F46K20
64
PIC18F24K20, PIC18F25K20, PIC18F44K20, PIC18F45K20
32
64
PIC18F23K20, PIC18F43K20
16
64
4-bit
Command
Data Payload
Core Instruction
Step 1: Direct access to code memory.
0000
8E A6
9C A6
84 A6
BSF
EECON1, EEPGD
BCF
EECON1, CFGS
BSF
EECON1, WREN
Step 2: Point to row to write.
0000
0E <Addr[21:16]>
6E F8
0E <Addr[15:8]>
6E F7
0E <Addr[7:0]>
6E F6
MOVLW <Addr[21:16]>
MOVWF TBLPTRU
MOVLW <Addr[15:8]>
MOVWF TBLPTRH
MOVLW <Addr[7:0]>
MOVWF TBLPTRL
Step 3: Load write buffer. Repeat for all but the last two bytes.
1101
<MSB><LSB>
Write 2 bytes and post-increment address by 2.
Step 4: Load write buffer for last two bytes and start programming.
1111
0000
<MSB><LSB>
00 00
Write 2 bytes and start programming.
NOP - hold PGC high for time P9 and low for time P10.
To continue writing data, repeat steps 2 through 4, where the Address Pointer is incremented by 2 at each iteration of
the loop.
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參數描述 |
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| PIC18F24K20T-I/SS | 功能描述:8位微控制器 -MCU 16KB Flash 768B RAM 25 I/O 8B RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數據總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數據 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT |
| PIC18F24K22-E/ML | 功能描述:8位微控制器 -MCU 16KB Flash 768B RAM 8b FamilynanoWatt RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數據總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數據 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT |
| PIC18F24K22-E/MV | 功能描述:8位微控制器 -MCU 16KB Flash 768B RAM 8b FamilynanoWatt RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數據總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數據 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT |
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