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參數資料
| 型號： | PIC16LF871-I/P |
| 廠商： | Microchip Technology |
| 文件頁數： | 23/143頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC PIC MCU FLASH 2KX14 40DIP |
| 產品培訓模塊： | Asynchronous Stimulus 8-bit PIC® Microcontroller Portfolio |
| 標準包裝： | 10 |
| 系列： | PIC® 16F |
| 核心處理器： | PIC |
| 芯體尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 20MHz |
| 連通性： | UART/USART |
| 外圍設備： | 欠壓檢測/復位，POR，PWM，WDT |
| 輸入/輸出數： | 33 |
| 程序存儲器容量： | 3.5KB（2K x 14） |
| 程序存儲器類型： | 閃存 |
| EEPROM 大?。?/td> | 64 x 8 |
| RAM 容量： | 128 x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 2 V ~ 5.5 V |
| 數據轉換器： | A/D 8x10b |
| 振蕩器型： | 外部 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 40-DIP（0.600"，15.24mm） |
| 包裝： | 管件 |
| 產品目錄頁面： | 639 (CN2011-ZH PDF) |
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2003 Microchip Technology Inc.
DS30569B-page 117
PIC16F870/871
14.0
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Absolute Maximum Ratings
Ambient temperature under bias................................................................................................................ .-55 to +125°C
Storage temperature .............................................................................................................................. -65°C to +150°C
Voltage on any pin with respect to VSS (except VDD, MCLR. and RA4) ......................................... -0.3V to (VDD + 0.3V)
Voltage on VDD with respect to VSS ............................................................................................................ -0.3 to +7.5V
Voltage on MCLR with respect to VSS (Note 2) ............................................................................................0 to +13.25V
Voltage on RA4 with respect to Vss ..................................................................................................................0 to +8.5V
Total power dissipation (Note 1) ............................................................................................................................... 1.0W
Maximum current out of VSS pin ........................................................................................................................... 300 mA
Maximum current into VDD pin .............................................................................................................................. 250 mA
Input clamp current, IIK (VI < 0 or VI > VDD)
..................................................................................................................... ± 20 mA
Output clamp current, IOK (VO < 0 or VO > VDD)
............................................................................................................. ± 20 mA
Maximum output current sunk by any I/O pin..........................................................................................................25 mA
Maximum output current sourced by any I/O pin .................................................................................................... 25 mA
Maximum current sunk by PORTA, PORTB, and PORTE (combined) (Note 3) ................................................... 200 mA
Maximum current sourced by PORTA, PORTB, and PORTE (combined) (Note 3).............................................. 200 mA
Maximum current sunk by PORTC and PORTD (combined) (Note 3) .................................................................200 mA
Maximum current sourced by PORTC and PORTD (combined) (Note 3) ............................................................ 200 mA
Note 1: Power dissipation is calculated as follows: Pdis = VDD x {IDD -
∑ IOH} + ∑ {(VDD - VOH) x IOH} + ∑(VOl x IOL)
2: Voltage spikes below VSS at the MCLR pin, inducing currents greater than 80 mA, may cause latch-up.
Thus, a series resistor of 50-100
should be used when applying a “l(fā)ow” level to the MCLR pin, rather than
pulling this pin directly to VSS.
3: PORTD and PORTE are not implemented on the 28-pin devices.
NOTICE: Stresses above those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the
device. This is a stress rating only and functional operation of the device at those or any other conditions above those
indicated in the operation listings of this specification is not implied. Exposure to maximum rating conditions for
extended periods may affect device reliability.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數描述 |
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