參數(shù)資料
型號： PHX8NQ11T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS-TM standard level FET
中文描述： 7.5 A, 110 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220F, FULL PACK-3
文件頁數(shù)： 4/12頁
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代理商： PHX8NQ11T
Philips Semiconductors
PHX8NQ11T
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 14 May 2004
4 of 12
9397 750 13285
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
5.
Thermal characteristics
5.1 Transient thermal impedance
Table 4:
Symbol Parameter
R
th(j-h)
thermal resistance from junction to heatsink
Thermal characteristics
Conditions
Figure 4
Min
-
Typ
-
Max
4.5
Unit
K/W
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to heatsink as a function of pulse duration.
03aq70
10-2
10-1
1
10
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
10
102
tp (s)
Zth(j-h)
(K/W)
single pulse
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
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