參數(shù)資料
型號： PHW13N40E
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： PowerMOS transistors Avalanche energy rated
中文描述： 13.7 A, 400 V, 0.35 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大?。?/td> 104K
代理商： PHW13N40E
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistors
Avalanche energy rated
PHP13N40E, PHB13N40E, PHW13N40E
SOURCE-DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS
T
j
= 25 C unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER
I
S
Continuous source current
(body diode)
I
SM
Pulsed source current (body
diode)
V
SD
Diode forward voltage
t
rr
Reverse recovery time
Q
rr
Reverse recovery charge
CONDITIONS
T
mb
= 25C
MIN.
-
TYP. MAX. UNIT
-
13.7
A
T
mb
= 25C
-
-
55
A
I
S
= 13 A; V
GS
= 0 V
I
S
= 13 A; V
GS
= 0 V; dI/dt = 100 A/
μ
s
-
-
-
-
1.2
-
-
V
ns
μ
C
420
5.4
December 1998
3
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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PHW201612 功能描述:罩類、盒類及殼類產(chǎn)品 24X24X10 FRP TYP 4X RoHS:否 制造商:Bud Industries 產(chǎn)品:Boxes 外部深度:6.35 mm 外部寬度:6.35 mm 外部高度:2.56 mm NEMA 額定值: IP 等級: 材料:Acrylonitrile Butadiene Styrene (ABS) 顏色:Red
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