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參數(shù)資料
| 型號： | PHT8N06 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| 中文描述： | TrenchMOS晶體管標準電平場效應管 |
| 文件頁數(shù)： | 8/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 72K |
| 代理商： | PHT8N06 |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
PHT8N06T
Dimensions in mm.
Fig.19. PCB for thermal resistance and power rating for SOT223.
PCB: FR4 epoxy glass (1.6 mm thick), copper laminate (35
μ
m thick).
36
60
9
10
4.6
18
4.5
7
15
50
December 1997
8
Rev 1.100
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHU11NQ10T | TrenchMOS⑩ standard level FET |
| PHV612 | 1.2A, High Efficiency Step-Down DC/DC Converter; Package: SO; No of Pins: 14; Temperature Range: -40°C to +85°C |
| PHV616 | High Voltage Rectifier |
| PHV620 | Synchronous Regulator Controller for N- or P-Channel MOSFETs |
| PHV624 | High Voltage Rectifier |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHT8N06LT | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N SOT-223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N, SOT-223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N, SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7.5A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):80mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.5V; Power Dissipation Pd:8.3W; ;RoHS Compliant: Yes |
| PHT8N06LT /T3 | 功能描述:MOSFET N-CH TRENCH 55V 7.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHT8N06LT,135 | 功能描述:MOSFET N-CH TRENCH 55V 7.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHT8N06LT | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N SOT-223 |
| PHT8N06LT.135 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N REEL 4K |
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