參數(shù)資料
型號(hào)： PHP60N06LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS transistor Logic level FET
中文描述： 58 A, 55 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
文件大小： 71K
代理商： PHP60N06LT
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHP60N06LT, PHB60N06LT
Fig.3. Safe operating area. T
= 25 C
I
D
& I
DM
= f(V
DS
); I
DM
single pulse; parameter t
p
Fig.4. Transient thermal impedance.
Z
th j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.5. Typical output characteristics, T
j
= 25 C
I
D
= f(V
DS
); parameter V
GS
Fig.6. Typical on-state resistance, T
j
= 25 C
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
GS
Fig.7. Typical transfer characteristics.
I
D
= f(V
GS
); conditions: V
DS
= 25 V; parameter T
j
Fig.8. Typical transconductance, T
= 25 C
g
fs
= f(I
D
); conditions: V
DS
= 25 V
1
10
100
1
10
100
1000
ID/A
VDS/V
RDS(ON) =VDS/ID
DC
tp =
1 us
10us
100 us
1 ms
10ms
100ms
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
VGS/V =
ID/A
4
4.24.4
4.6
4.8
5
RDS(ON)/mOhm
1E-06
0.0001
t/s
1
100
0.001
0.01
0.1
1
10
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0
Zth/(K/W)
0
1
2
3
4
5
6
0
20
40
60
80
100
ID/A
VGS/V
Tj/C =
175
25
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
ID/A
VDS/V
VGS/V =
10
5
4.4
4.2
4.0
3.8
3.6
3.4
3.2
3.0
2.8
2.6
2.4
2.0
0
20
40
60
80
100
0
10
20
30
40
50
gfs/S
ID/A
January 1998
4
Rev 1.300
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHB60N06LT TrenchMOS transistor Logic level FET
PHP60N06T TrenchMOS transistor Standard level FET
PHP65N06LT TrenchMOS transistor Logic level FET
PHP65N06T TrenchMOS transistor Standard level FET
PHP69N03T TrenchMOS transistor Standard Level FET(TrenchMOS 晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平場(chǎng)效應(yīng)管)
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參數(shù)描述
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PHP63NQ03LT 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N 30V TO-220
PHP65N06LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET
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