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參數(shù)資料
| 型號： | PHP5N40E |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | PowerMOS transistor |
| 中文描述： | 6.5 A, 400 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 21K |
| 代理商： | PHP5N40E |
Philips Semiconductors
Objective specification
PowerMOS transistor
PHP5N40E
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 2 g
Fig.1. TO220AB; pin 2 connected to mounting base.
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Refer to mounting instructions for TO220 envelopes.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
10,3
max
3,7
2,8
3,0
3,0 max
not tinned
1,3
max
(2x)
1 2 3
2,4
0,6
4,5
max
5,9
min
15,8
max
1,3
2,54 2,54
0,9 max (3x)
13,5
min
October 1996
3
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP60N06LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHB60N06LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHP60N06T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHP65N06LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHP65N06T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHP60 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL BI-DIR 85V 15KW 2PIN CASE 11 - Bulk |
| PHP6009-11BPF | 制造商:Omron Corporation 功能描述:PHP6009, Bored Shaft, 1N/C+1N/O, 1xM20 opening |
| PHP60N06LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHP60N06T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHP63NQ03LT | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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