參數(shù)資料
型號(hào)： PHP45NQ15T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS standard level FET
中文描述： 45.1 A, 150 V, 0.042 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, SC-46, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/13頁
文件大小： 86K
代理商： PHP45NQ15T
9397 750 14012
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 8 November 2004
6 of 13
Philips Semiconductors
PHP/PHB45NQ15T
N-channel TrenchMOS standard level FET
T
j
= 25
°
C
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values.
Fig 5.
Fig 6.
T
j
= 25
°
C and 175
°
C; V
DS
> I
D
×
R
DSon
Fig 7.
Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
Fig 8.
Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature.
03ao19
0
10
20
30
40
50
0
1
2
3
4
V
DS
(V)
I
D
(A)
T
j
= 25
°
C
V
GS
= 3.6 V
10 V
3.8 V
4 V
4.2 V
4.4 V
5 V
4.6 V
4.8 V
03ao20
0
20
40
60
80
0
10
20
30
40
50
I
D
(A)
R
DSon
(m
)
4.6 V
V
GS
= 4.4 V
T
j
= 25
°
C
10 V
5 V
4.8 V
03ao21
0
10
20
30
40
50
0
2
4
6
V
GS
(V)
I
D
(A)
V
DS
> I
D
x R
DSon
T
j
= 25
°
C
175
°
C
03al51
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-75
-25
25
75
125
175
T
j
(
°
C)
a
a
R
DSon 25 C
)
----------------------------
=
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PDF描述
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參數(shù)描述
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