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參數(shù)資料
| 型號： | PHP45N03T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS transistor Standard Level FET(TrenchMOS 晶體管標準電平場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | 45 A, 30 V, 0.024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 59K |
| 代理商： | PHP45N03T |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
PHP45N03T
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); conditions: I
D
= 40 A; parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.15. Normalised avalanche energy rating.
W
DSS
% = f(T
mb
); conditions: I
D
= 25 A
Fig.16. Avalanche energy test circuit.
W
DSS
=
0.5
LI
D
Fig.17. Switching test circuit.
0
5
10
15
20
0
2
4
6
8
10
7528-30
QG / nC
VGS / V
VDS / V = 6
24
20
40
60
80
100
Tmb / C
120
140
160
180
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS%
0
0.5
1
1.5
2
0
20
40
60
7528-30
VSDS / V
IF / A
Tj / C = 175
25
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
2
BV
DSS
/(
BV
DSS
V
DD
)
RD
T.U.T.
VDD
RG
VDS
+
-
VGS
0
September 1997
6
Rev 1.100
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PDF描述 |
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| PHP45NQ11T,127 | 功能描述:MOSFET TRENCMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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