參數資料
型號： PHP44N06T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS transistor Standard Level FET(TrenchMOS 晶體管標準電平場效應管)
中文描述： 44 A, 55 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數： 4/8頁
文件大?。?/td> 65K
代理商： PHP44N06T
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
PHP44N06T
Fig.1. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25 C
= f(T
mb
)
Fig.2. Normalised continuous drain current.
ID% = 100
I
D
/I
D 25 C
= f(T
mb
); conditions: V
GS
≥
10 V
Fig.3. Safe operating area. T
= 25 C
I
D
& I
DM
= f(V
DS
); I
DM
single pulse; parameter t
p
Fig.4. Transient thermal impedance.
Z
th j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.5. Typical output characteristics, T
j
= 25 C
I
D
= f(V
DS
); parameter V
GS
Fig.6. Typical on-state resistance, T
j
= 25 C
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
GS
0
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
160
180
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1.0E-06
0.0001
0.01
t/s
1
100
0.01
0.1
1
10
Zth/ (K/W)
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
0
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
160
180
ID%
Normalised Current Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
ID/A
VDS/V
VGS/V =
16
14
12
10.0
9.5
9.0
8.5
8.0
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
1
10
100
1
10
100
1000
ID/A
VDS/V
RDS(ON) = VDS/ID
tp =
1 us
10us
100 us
1 ms
10ms
100ms
DC
0
10
20
30
40
50
60
70
20
25
30
35
40
45
50VGS/V =
6
6.5
7
8
9
10
ID/A
December 1997
4
Rev 1.100
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PDF描述
PHP45N03T TrenchMOS transistor Standard Level FET(TrenchMOS 晶體管標準電平場效應管)
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