參數(shù)資料
型號： PHP212
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Dual P-channel enhancement mode MOS transistor
中文描述： 4000 mA, 30 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA
封裝： PLASTIC, SO-8
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大?。?/td> 111K
代理商： PHP212
1997 Jun 18
7
Philips Semiconductors
Product specification
Dual P-channel enhancement mode
MOS transistor
PHP212
Fig.6
Capacitance as a function of drain-source
voltage; typical values.
handbook, halfpage
(pF)
0
4
8
12
16
20
0
1000
750
500
250
MGG352
VDS (V)
(1)
(2)
(3)
V
GS
= 0; f = 1 MHz; T
j
= 25
°
C.
(1) C
iss
.
(2) C
oss
.
(3) C
rss
.
Fig.7 Output characteristics; typical values.
handbook, halfpage
ID
(A)
0
4
8
12
0
12
8
4
MGG353
VDS (V)
(4)
(5)
(6)
(1)
(2)
(3)
T
amb
= 25
°
C; t
p
= 80
μ
s;
δ
= 0.
(1) V
GS
=
10 V.
(2) V
GS
=
5 V.
(3) V
GS
=
4.5 V.
(4) V
GS
=
4 V.
(5) V
GS
=
3.5 V.
(6) V
GS
=
3 V.
Fig.8 Transfer characteristic; typical value.
V
DS
=
10 V; T
amb
= 25
°
C; t
p
= 80
μ
s;
δ
= 0.
handbook, halfpage
ID
(A)
0
2
4
6
MGG354
8
12
0
4
VGS (V)
Fig.9
Gate-source voltage and drain-source
voltage as functions of total gate charge;
typical values.
handbook, halfpage
VDS, VGS
(V)
0
4
16
12
4
0
8
8
12
MGG355
(1)
(2)
QG (nC)
V
DD
=
12.5 V; I
D
=
2 A; T
amb
= 25
°
C.
(1) V
DS
.
(2) V
GS
.
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