參數(shù)資料
型號： PHP20N06
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： N-channel TrenchMOS transistor
中文描述： N溝道TrenchMOS晶體管
文件頁數(shù)： 8/15頁
文件大?。?/td> 334K
代理商： PHP20N06
Philips Semiconductors
PHP20N06T; PHB20N06T
N-channel TrenchMOS transistor
Product specification
Rev. 01 — 22 February 2001
8 of 15
9397 750 07894
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
V
DS
= 25 V
Fig 13. Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C; I
D
= 25 A
Fig 14. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values.
V
GS
= 0 V
Fig 15. Source (diode forward) current as a function of source-drain (diode forward) voltage; typical values.
003aaa049
0
5
10
15
20
25
0
2
4
6
8
10
VGS (V)
ID
(A)
Tj = 175 oC
Tj = 25 oC
003aaa050
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
QG (nC)
VGS
(V)
VDD = 44 V
VDD = 14 V
003aaa052
0
20
40
60
80
100
120
0
0.5
1.0
1.5
VSD (V)
2.0
IS
(A)
Tj = 25 oC
Tj = 175 oC
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