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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PHP1N60 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | PowerMOS transistor |
| 中文描述： | 1.9 A, 600 V, 6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/7頁(yè) |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | PHP1N60 |
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
PHP1N60
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 2 g
Fig.19. TO220AB; pin 2 connected to mounting base.
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Refer to mounting instructions for TO220 envelopes.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
10,3
max
3,7
2,8
3,0
3,0 max
not tinned
1,3
max
(2x)
1 2 3
2,4
0,6
4,5
max
5,9
min
15,8
max
1,3
2,54 2,54
0,9 max (3x)
13,5
min
June 1997
6
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP20N06 | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHP20N06E | PowerMOS transistor |
| PHP212L | Dual P-channel enhancement mode MOS transistor |
| PHP212 | Dual P-channel enhancement mode MOS transistor |
| PHP21N06 | TrenchMOSO transistor Standard level FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHP1N60E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor |
| PHP1-S12-S5-M-TR | 功能描述:DC-DC ISOLATED, 1 W, 12 VDC INPU 制造商:cui inc. 系列:* 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| PHP1-S15-S5-M-TR | 功能描述:DC-DC ISOLATED, 1 W, 15 VDC INPU 制造商:cui inc. 系列:* 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| PHP1-S3-S5-M-TR | 功能描述:DC-DC ISOLATED, 1 W, 3.3VDC INPU 制造商:cui inc. 系列:* 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| PHP1-S5-S12-M-TR | 功能描述:DC-DC ISOLATED, 1 W, 5 VDC INPUT 制造商:cui inc. 系列:* 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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