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參數(shù)資料
| 型號： | PHP125N06T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS transistor Standard Level FET(TrenchMOS 晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | 75 A, 55 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 63K |
| 代理商： | PHP125N06T |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
PHP125N06T
Fig.1. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25 C
= f(T
mb
)
Fig.2. Normalised continuous drain current.
ID% = 100
I
D
/I
D 25 C
= f(T
mb
); conditions: V
GS
≥
5 V
Fig.3. Safe operating area. T
= 25 C
I
D
& I
DM
= f(V
DS
); I
DM
single pulse; parameter t
p
Fig.4. Transient thermal impedance.
Z
th j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.5. Typical output characteristics, T
j
= 25 C
I
D
= f(V
DS
); parameter V
GS
Fig.6. Typical on-state resistance, T
j
= 25 C
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
GS
0
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
160
180
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1E-07
1E-05
1E-03
t / s
1E-01
1E+01
Zth / (K/W)
1E+00
1E-01
1E-02
1E-03
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
0
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
160
180
ID (A)
Current Derating
150
125
100
75
50
25
0
Limited by package
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
VGS/V =
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
6.5
10
16
ID/A
VDS/V
VDS / V
ID / A
100 us
1 ms
10 ms
100 ms
1
10
100
1000
1
10
RDS(ON) = VDS/ID
DC
100
BUKX508-55
tp = 10 us
0
20
40
60
ID/A
80
100
120
0
5
10
15RDS(ON)/mOhm
10
8
7
6.5
6
5.5
BUK7508-55
VGS/V=
December 1997
4
Rev 1.100
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PDF描述 |
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