參數(shù)資料
型號(hào)： PHP1035
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： P-channel enhancement mode MOS transistor
中文描述： 8000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA
封裝： PLASTIC, SO-8
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 51K
代理商： PHP1035
1998 Feb 18
2
Philips Semiconductors
Preliminary specification
P-channel enhancement mode
MOS transistor
PHP1035
FEATURES
Very low R
DSon
High-speed switching
No secondary breakdown
Direct interface to C-MOS, TTL, etc.
APPLICATIONS
Power management
DC-DC converters
General purpose switch.
DESCRIPTION
P-channel enhancement mode MOS transistor in an 8-pin
SOT96-1 (SO8) SMD plastic package.
CAUTION
The device is supplied in an antistatic package.
The gate-source input must be protected against static
discharge during transport or handling.
PINNING - SOT96-1 (SO8)
PIN
SYMBOL
DESCRIPTION
1
2
3
4
5
6
7
8
s
s
s
g
d
d
d
d
source
source
source
gate
drain
drain
drain
drain
Fig.1 Simplified outline and symbol.
handbook, halfpage
4
5
1
Top view
MAM398
s
d
g
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
30
1.3
±
20
8
35
4
UNIT
V
DS
V
SD
V
GSO
V
GSth
I
D
R
DSon
P
tot
drain-source voltage (DC)
source-drain diode forward voltage
gate-source voltage (DC)
gate-source threshold voltage
drain current (DC)
drain-source on-state resistance
total power dissipation
1
V
V
V
V
A
m
W
I
S
=
1.25 A; V
GD
= 0
open drain
I
D
=
1 mA; V
DS
= V
GS
T
s
= 80
°
C
I
D
=
4 A; V
GS
=
10 V
T
s
= 80
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHP10N10E PowerMOS transistor
PHP10N40E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHP10N40 CAP 1000PF 100V 1% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK S-MIL-PRF-39014/22
PHP10N60E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHP112N06T N-channel enhancement mode field-effect transistor
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參數(shù)描述
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