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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PHP101NQ03LT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS logic level FET |
| 中文描述： | 75 A, 30 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC, SC-46, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 11/13頁(yè) |
| 文件大小： | 279K |
| 代理商： | PHP101NQ03LT |
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Philips Semiconductors
PHP/PHU101NQ03LT
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 02 — 25 February 2003
11 of 13
9397 750 10927
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
10. Revision history
11. Trademarks
TrenchMOS —
is a trademark of Koninklijke Philips Electronics N.V.
Table 6:
Rev Date
02
Revision history
CPCN
20030225
Description
Product data (9397 750 10927)
Modifications:
Removal of PHD101NQ03LT (Now in separate data sheet).
Removal of PHB101NQ03LT (Now in separate data sheet).
Section 7 “Thermal characteristics”
Clarification of thermal resistance table.
Graphics updated to latest standard.
Product data (9397 750 09307); initial version
-
01
20020220
-
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHU101NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
| PHP109 | P-channel enhancement mode MOS transistor(P溝道增強(qiáng)型MOS晶體管) |
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| PHD11N06LT | N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET(N溝道TrenchMOS 晶體管邏輯電平場(chǎng)效應(yīng)管) |
| PHP125N06L | TrenchMOS transistor Logic level FET(TrenchMOS 晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平場(chǎng)效應(yīng)管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHP101NQ03LT,127 | 功能描述:MOSFET RAIL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP101NQ03LT | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N 30V TO-220 |
| PHP101NQ04T | 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM)FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP101NQ04T,127 | 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM)FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP1025 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:P-channel enhancement mode MOS transistor |
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