參數(shù)資料
型號： PHB96NQ03LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 75 A, 25 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 8/14頁
文件大?。?/td> 293K
代理商： PHB96NQ03LT
Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD96NQ03LT
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 03 — 23 October 2001
8 of 14
9397 750 08963
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C and 175
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 12. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
I
D
= 50 A; V
DD
= 15 V
Fig 13. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values.
03af15
0
20
40
60
80
I
S
(A)
0
0.4
0.8
1.2
V
SD
(V)
T
j
= 25 oC
175 oC
V
GS
= 0 V
03af17
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
Q
G
(nC)
V
GS
(V)
I
D
= 50 A
T
j
= 25 oC
V
DD
= 15 V
相關PDF資料
PDF描述
PHD96NQ03LT N-channel enhancement mode field-effect transistor
PHP9N60E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHT-1901 LOW PROFILE INTERFACE COUPLING AND HYBRID TRANSFORMERS
PHT-1902 LOW PROFILE INTERFACE COUPLING AND HYBRID TRANSFORMERS
PHT-1903 LOW PROFILE INTERFACE COUPLING AND HYBRID TRANSFORMERS
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
PHB96NQ03LT,118 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHB98N03LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode field-effect transistor
PHB9N60E 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHB9NQ20T 制造商:PHILIPS-SEMI 功能描述:
PHBL-1 制造商:Mid Atlantic 功能描述:Blank Panels, Black Brushed And Anodized Finish
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*