型號: | PHB95N03LT |
廠商: | NXP SEMICONDUCTORS |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | N-channel TrenchMOS transistor |
中文描述: | 75 A, 25 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封裝: | PLASTIC, D2PAK-3 |
文件頁數(shù): | 9/15頁 |
文件大?。?/td> | 304K |
代理商: | PHB95N03LT |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
PHE95N03LT | N-channel TrenchMOS transistor |
PHP96NQ03LT | Turret Lug, for 2.4mm panel thickness |
PHB96NQ03LT | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
PHD96NQ03LT | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
PHP9N60E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
PHB95N03LTA | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 22V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB |
PHB95NQ04LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS logic level FET |
PHB95NQ04LT,118 | 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM) FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
PHB96NQ03LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode field-effect transistor |
PHB96NQ03LT,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |