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參數資料
| 型號： | PHB8N50E |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| 中文描述： | 8.5 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | SOT-404, 3 PIN |
| 文件頁數： | 9/10頁 |
| 文件大小： | 90K |
| 代理商： | PHB8N50E |
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistors
Avalanche energy rated
PHP8N50E, PHB8N50E, PHW8N50E
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 5 g
Fig.22. SOT429; pin 2 connected to mounting base.
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Refer to mounting instructions for SOT429 envelope.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
5.3
4.0
max
21
max
15.5
min
1
2.2 max
3.2 max
0.4
2.5
0.9 max
5.3 max
3.5
16 max
5.45
seating
plane
5.45
M
o
15.5
max
2
3
1.1
3.5
max
1.8
7.3
December 1998
9
Rev 1.300
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHW8N50E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHP8N50E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHBF0410-FEC | RADIATION HARDENED HIGH EFFICIENCY, 5 AMP SWITCHING REGULATORS |
| PHBF0510-FEC | CONDUIT SCREENED 25MMX10M |
| PHC025 | RADIATION HARDENED HIGH EFFICIENCY, 5 AMP SWITCHING REGULATORS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHB8N50T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8.7A I(D) | SOT-404 |
| PHB8ND50E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors FREDFET, Avalanche energy rated |
| PHB95N03LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor |
| PHB95N03LTA | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 22V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB |
| PHB95NQ04LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS logic level FET |
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