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參數(shù)資料
| 型號： | PHB7N40E |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| 中文描述： | 7.2 A, 400 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | SOT-404, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 7/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 78K |
| 代理商： | PHB7N40E |
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistors
Avalanche energy rated
PHP7N40E, PHB7N40E
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 2 g
Fig.19. SOT78 (TO220AB); pin 2 connected to mounting base.
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Refer to mounting instructions for SOT78 (TO220) envelopes.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
10,3
max
3,7
2,8
3,0
3,0 max
not tinned
1,3
max
(2x)
1 2 3
2,4
0,6
4,5
max
5,9
min
15,8
max
1,3
2,54 2,54
0,9 max (3x)
13,5
min
December 1998
7
Rev 1.200
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP7N60E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHW7N60E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHB7N60E | ER 17C 17#16 SKT RECP BOX |
| PHP8.4 | 7,500 & 15,000 Watt TVS Module |
| PHP120 | 15,000 Watt TVS Module(15，000W,鉗位電壓319V，瞬變電壓抑制器模塊) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHB7N60E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHB80N06LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHB80N06LTT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-404 |
| PHB80N06T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHB80N06TT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-404 |
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