參數(shù)資料
型號： PHB55N03LTA
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 55 A, 25 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 8/14頁
文件大?。?/td> 296K
代理商： PHB55N03LTA
Philips Semiconductors
PHP55N03LTA series
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 02 — 2 August 2001
8 of 14
9397 750 08642
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C and 175
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 12. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
I
D
= 55 A; V
DD
= 15 V
Fig 13. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values.
03ae69
0
15
30
45
60
0
0.4
0.8
1.2
V
SD
(V)
I
S
(A)
T
j
= 25 oC
175 oC
V
GS
= 0 V
03ae71
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
Q
G
(nC)
V
GS
(V)
I
D
= 55 A
T
j
= 25 oC
V
DD
= 15 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHD55N03LTA N-channel enhancement mode field-effect transistor
PHP55N03T TrenchMOS transistor Standard Level FET(TrenchMOS 晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平場效應(yīng)管)
PHP5N20E PowerMOS transistor
PHP5N40E PowerMOS transistor
PHP60N06LT TrenchMOS transistor Logic level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHB55N03LTA,118 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHB55N03LTT/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 55A I(D) | SOT-404
PHB55N03T 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Standard level FET
PHB55N03TT/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 55A I(D) | SOT-404
PHB55N04LT 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 35V V(BR)DSS | 55A I(D) | TO-263AB
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