參數(shù)資料
型號(hào)： PHB36N06E
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： PowerMOS transistor
中文描述： 41 A, 60 V, 0.038 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大?。?/td> 55K
代理商： PHB36N06E
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
PHB36N06E
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 1.4 g
Fig.17. SOT404 : centre pin connected to mounting base.
MOUNTING INSTRUCTIONS
Dimensions in mm
Fig.18. SOT404 : soldering pattern for surface mounting
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
11 max
4.5 max
1.4 max
10.3 max
0.5
15.4
2.5
0.85 max
(x2)
2.54 (x2)
17.5
11.5
9.0
5.08
3.8
2.0
August 1996
6
Rev 1.000
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