參數(shù)資料
型號： PHB225NQ04T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS standard level FET
中文描述： 75 A, 40 V, 0.0031 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 8/13頁
文件大小： 93K
代理商： PHB225NQ04T
Philips Semiconductors
PHP/PHB225NQ04T
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 12 May 2004
8 of 13
9397 750 13157
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C and 175
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 12. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
I
D
= 25 A; V
DD
= 14 V and 32 V
Fig 13. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values.
03aq25
0
20
40
60
80
0
0.3
0.6
0.9
1.2
VSD (V)
IS
(A)
Tj = 25
°
C
175
°
C
VGS = 0 V
03aq27
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
QG (nC)
VGS
(V)
ID = 25 A
Tj
= 25
°
C
VDD = 32 V
14 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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