參數(shù)資料
型號(hào)： PHB125N06L
廠(chǎng)商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： TrenchMOS transistor Logic level FET(TrenchMOS 晶體管邏輯電平FET)
中文描述： TrenchMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管邏輯電平（TrenchMOS晶體管邏輯電平場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大?。?/td> 71K
代理商： PHB125N06L
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHP125N06LT, PHB125N06LT
REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER
I
S
Continuous source current
(body diode)
I
SM
Pulsed source current (body
diode)
V
SD
Diode forward voltage
CONDITIONS
MIN.
-
TYP. MAX. UNIT
-
75
A
-
-
240
A
I
F
= 25 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 75 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 75 A; -dI
/dt = 100 A/
μ
s;
V
GS
= -10 V; V
R
= 30 V
-
-
-
-
0.85
1.0
65
0.18
1.2
-
-
-
V
V
ns
μ
C
t
rr
Q
rr
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
AVALANCHE LIMITING VALUE
SYMBOL PARAMETER
W
DSS
Drain-source non-repetitive
unclamped inductive turn-off
energy
CONDITIONS
I
D
= 75 A; V
≤
25 V; V
GS
= 5 V;
R
GS
= 50
; T
mb
= 25 C
MIN.
-
MAX.
500
UNIT
mJ
Fig.1. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25 C
= f(T
mb
)
Fig.2. Normalised continuous drain current.
ID% = 100
I
D
/I
D 25 C
= f(T
mb
); conditions: V
GS
≥
5 V
0
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
160
180
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
160
180
ID (A)
Current Derating
150
125
100
75
50
25
0
Limited by package
March 1998
3
Rev 1.400
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHP125N06LT TrenchMOS transistor Logic level FET
PHP125N06T TrenchMOS transistor Standard Level FET(TrenchMOS 晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平場(chǎng)效應(yīng)管)
PHP125 P-channel enhancement mode MOS transistor(P溝道增強(qiáng)型MOS晶體管)
PHP130N03T TrenchMOS transistor Standard Level FET(TrenchMOS 晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平場(chǎng)效應(yīng)管)
PHP13N40E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
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參數(shù)描述
PHB125N06LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET
PHB125N06T 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Standard level FET
PHB125N06TT/R 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-404
PHB129NQ04LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS logic level FET
PHB129NQ04LT /T3 功能描述:MOSFET N-CH TRENCH 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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