參數(shù)資料
型號： PHB11N03LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET(N溝道TrenchMOS 晶體管邏輯電平場效應管)
中文描述： 10.3 A, 30 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大?。?/td> 105K
代理商： PHB11N03LT
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHB11N03LT, PHD11N03LT
REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER
I
S
Continuous source current
(body diode)
I
SM
Pulsed source current (body
diode)
V
SD
Diode forward voltage
t
rr
Reverse recovery time
Q
rr
Reverse recovery charge
CONDITIONS
MIN.
-
TYP. MAX. UNIT
-
10.3
A
-
-
41
A
I
F
= 10 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 10 A; -dI
F
/dt = 100 A/
μ
s;
V
GS
= 0 V; V
R
= 30 V
-
-
-
1.15
35
55
1.5
-
-
V
ns
nC
September 1999
3
Rev 1.000
相關PDF資料
PDF描述
PHD11N03LT N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET(N溝道TrenchMOS 晶體管邏輯電平場效應管)
PHB129NQ04LT N-channel TrenchMOS logic level FET
PHP129NQ04LT N-channel TrenchMOS logic level FET
PHB18NQ20T N-channel TrenchMOS transistor(N溝道TrenchMOS 晶體管邏輯電平場效應管)
PHP18NQ20T N-channel TrenchMOS transistor
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參數(shù)描述
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