參數(shù)資料
型號(hào)： PH2520U
英文描述： TrenchMOS (tm) ultra low level FET
中文描述： TrenchMOS（TM）超低水平場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大?。?/td> 233K
代理商： PH2520U
Philips Semiconductors
PH2520U
TrenchMOS ultra low level FET
Product data
Rev. 01 — 02 May 2003
4 of 12
9397 750 11406
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
4.
Thermal characteristics
4.1 Transient thermal impedance
Table 3:
Symbol Parameter
R
th(j-mb)
thermal resistance from junction to mounting base
Figure 4
Thermal characteristics
Conditions
Min Typ Max Unit
-
-
2
K/W
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration.
003aaa346
10-1
1
10
10-4
10-3
10-2
10-1
1
10
102
tp (s)
Zth(j-mb)
(K/W)
single pulse
0.2
0.1
0.05
δ
= 0.5
0.02
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
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PDF描述
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參數(shù)描述
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