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參數(shù)資料
| 型號： | PDTD123EK |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = 2.2 kW |
| 中文描述： | 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-59A, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 68K |
| 代理商： | PDTD123EK |
9397 750 14582
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 8 April 2005
6 of 10
Philips Semiconductors
PDTD123E series
NPN 500 mA resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k
, R2 = 2.2 k
8.
Package outline
Fig 5.
Package outline SOT346 (SC-59A/TO-236)
Fig 6.
Package outline SOT54 (SC-43A/TO-92)
Fig 7.
Package outline SOT54A
Fig 8.
Package outline SOT54 variant
Fig 9.
Package outline SOT23 (TO-236AB)
04-11-11
Dimensions in mm
3.0
2.5
1.7
1.3
0.26
0.10
1
2
3
1.9
0.50
0.35
1.3
1.0
3.1
2.7
0.6
0.2
04-11-16
Dimensions in mm
5.2
5.0
14.5
12.7
4.8
4.4
4.2
3.6
0.45
0.38
0.48
0.40
1.27
2.54
3
2
1
04-06-28
Dimensions in mm
5.2
5.0
14.5
12.7
4.8
4.4
4.2
3.6
0.45
0.38
0.48
0.40
2.54
5.08
3 max
3
2
1
05-01-10
Dimensions in mm
5.2
5.0
14.5
12.7
4.8
4.4
4.2
3.6
0.45
0.38
0.48
0.40
1.27
1.27
2.54
2.5
max
3
2
1
04-11-04
Dimensions in mm
0.45
0.15
1.9
1.1
0.9
3.0
2.8
2.5
2.1
1.4
1.2
0.48
0.38
0.15
0.09
1
2
3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| PDTD123EK T/R | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTD123EK,115 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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| PDTD123ES,126 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 500 MA RET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTD123ET | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN 50V 0.5A SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:NPN Transistor,500mA,PDTD123ET 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Transistor NPN 50V 0.5A 2.2K 2.2K TO236 |
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