參數(shù)資料
型號： PDTD114ET
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN resistor-equipped transistor
中文描述： 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 50K
代理商： PDTD114ET
1997 Sep 02
2
Philips Semiconductors
Objective specification
NPN resistor-equipped transistor
PDTD114ET
FEATURES
Built-in bias resistors R1 and R2
(typ. 10 k
each)
Simplification of circuit design
Reduces number of components
and board space.
APPLICATIONS
Especially suitable for space
reduction in interface and driver
circuits
Inverter circuit configurations
without use of external resistors.
DESCRIPTION
NPN resistor-equipped transistor in a
SOT23 plastic package.
PNP complement: PDTB114ET.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base/input
emitter/ground
collector/output
Fig.1 Simplified outline (SOT23) and symbol.
handbook, 4 columns
2
1
3
MAM097
Top view
R1
R2
3
2
1
Fig.2
Equivalent inverter
symbol.
MGA893 - 1
1
3
2
MARKING
TYPE
NUMBER
MARKING
CODE
PDTD114ET
p10
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
V
CEO
I
O
I
CM
P
tot
h
FE
R1
collector-emitter voltage
output current (DC)
peak collector current
total power dissipation
DC current gain
input resistor
open base
56
7
10
50
500
500
250
13
V
mA
mA
mW
T
amb
≤
25
°
C
I
C
= 50 mA; V
CE
= 5 V
k
resistor ratio
0.8
1
1.2
R1
R2
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