參數(shù)資料
型號(hào)： PDTC143TK
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kOHM, R2 = open
中文描述： 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
封裝： PLASTIC, SC-59A, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/14頁(yè)
文件大小： 92K
代理商： PDTC143TK
2004 Aug 06
5
Philips Semiconductors
Product specification
NPN resistor-equipped transistors;
R1 = 4.7 k
, R2 = open
PDTC143T series
THERMAL CHARACTERISTICS
Notes
1.
2.
3.
Refer to standard mounting conditions.
Reflow soldering is the only recommended soldering method.
Refer to SOT883 standard mounting conditions; FR4 with 60
μ
m copper strip line.
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th(j-a)
thermal resistance from junction to ambient
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT490
SOT883
SOT416
in free air
note 1
note 1
note 1
note 1
notes 1 and 2
notes 2 and 3
note 1
250
500
500
625
500
500
833
K/W
K/W
K/W
K/W
K/W
K/W
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
200
3.3
TYP.
4.7
MAX.
UNIT
I
CBO
I
CEO
collector-base cut-off current
collector-emitter cut-off current
V
CB
= 50 V; I
E
= 0 A
V
CE
= 30 V; I
B
= 0 A
V
CE
= 30 V; I
B
= 0 A; T
j
= 150
°
C
V
EB
= 5 V; I
C
= 0 A
V
CE
= 5 V; I
C
= 1 mA
I
C
= 5 mA; I
B
= 0.25 mA
100
1
50
100
100
6.1
2.5
nA
μ
A
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
V
CEsat
R1
C
c
emitter-base cut-off current
DC current gain
collector-emitter saturation voltage
input resistor
collector capacitance
mV
k
pF
I
E
= i
e
= 0 A; V
CB
= 10 V;
f = 1 MHz
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PDF描述
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