參數(shù)資料
型號(hào)： PDTC123JK
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM
中文描述： 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
封裝： PLASTIC, SC-59A, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 9/14頁(yè)
文件大?。?/td> 92K
代理商： PDTC123JK
2004 Aug 13
9
Philips Semiconductors
Product specification
NPN resistor-equipped transistors;
R1 = 2.2 k
, R2 = 47 k
PDTC123J series
UNIT
A
1
max.
A
(1)
b
b
1
e
1
e
L
L
1
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
mm
0.50
0.46
0.20
0.12
0.55
0.47
0.03
0.62
0.55
0.35
0.65
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
Note
1. Including plating thickness
0.30
0.22
0.30
0.22
SOT883
SC-101
03-02-05
03-04-03
D
E
1.02
0.95
L
E
2
3
1
b
b1
A1
A
D
L1
0
0.5
1 mm
scale
Leadless ultra small plastic package; 3 solder lands; body 1.0 x 0.6 x 0.5 mm
SOT883
e
e1
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PDF描述
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參數(shù)描述
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PDTC123JK,115 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTC123JM 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 47 kΩ
PDTC123JM T/R 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTC123JM,315 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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