參數(shù)資料
型號： PDTA143ES
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP resistor-equipped transistor
中文描述： 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： PLASTIC, SC-43A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 66K
代理商： PDTA143ES
1998 Jul 23
2
Philips Semiconductors
Product specification
PNP resistor-equipped transistor
PDTA143EE
FEATURES
Built-in bias resistors R1 and R2
(typ. 4.7 k
each)
Simplification of circuit design
Reduces number of components
and board space.
APPLICATIONS
Especially suitable for space
reduction in interface and driver
circuits
Inverter circuit configurations
without use of external resistors.
DESCRIPTION
PNP resistor-equipped transistor in
an SC-75 plastic package.
NPN complement: PDTC143EE.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base/input
emitter/ground (+)
collector/output
Fig.1 Simplified outline (SC-75) and symbol.
handbook, halfpage
MAM345
1
2
3
R1
R2
Top view
1
2
3
Fig.2
Equivalent inverter
symbol.
MGA893 - 1
1
3
2
MARKING
TYPE
NUMBER
MARKING
CODE
PDTA143EE
01
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
50
100
100
150
6.1
UNIT
V
CEO
I
O
I
CM
P
tot
h
FE
R1
collector-emitter voltage
output current (DC)
peak collector current
total power dissipation
DC current gain
input resistor
open base
30
3.3
4.7
V
mA
mA
mW
T
amb
≤
25
°
C
I
C
=
10 mA; V
CE
=
5 V
k
resistor ratio
0.8
1
1.2
R1
R2
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