參數(shù)資料
型號(hào)： PDTA124XEF
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP resistor-equipped transistor
中文描述： 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-89, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 50K
代理商： PDTA124XEF
1999 May 21
2
Philips Semiconductors
Product specification
PNP resistor-equipped transistor
PDTA124XE
FEATURES
Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k
and 47 k
respectively)
Simplification of circuit design
Reduces number of components and board space.
APPLICATIONS
Especially suitable for space reduction in interface and
driver circuits
Inverter circuit configurations without use of external
resistors.
DESCRIPTION
PNP resistor-equipped transistor in an SC-75 (SOT416)
plastic package. NPN complement: PDTC124XE.
MARKING
PINNING
TYPE NUMBER
MARKING CODE
PDTA124XE
31
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base/input
emitter/ground (+)
collector/output
Fig.1 Simplified outline (SC-75) and symbol.
handbook, halfpage
MAM345
1
2
3
R1
R2
Top view
1
2
3
Fig.2 Equivalent inverter symbol.
MGA893 - 1
1
3
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PDTA124XS PNP resistor-equipped transistors; R1 = 22 kohm, R2 = 47 kohm
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參數(shù)描述
PDTA124XK 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP resistor-equipped transistors; R1 = 22 kW, R2 = 47 kW
PDTA124XK,115 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTA124XM 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP resistor-equipped transistors; R1 = 22 kohm, R2 = 47 kohm
PDTA124XM T/R 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTA124XM,315 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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