參數(shù)資料
型號(hào)： PDTA114ES
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP resistor-equipped transistor
中文描述： 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： PLASTIC, SC-43A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 60K
代理商： PDTA114ES
1998 May 15
3
Philips Semiconductors
Product specification
PNP resistor-equipped transistor
PDTA114TK
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
50
50
5
100
100
250
+150
150
+150
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
O
I
CM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
output current (DC)
peak collector current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
open base
open collector
65
65
V
V
V
mA
mA
mW
°
C
°
C
°
C
T
amb
≤
25
°
C; note 1
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
500
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
200
7
TYP.
10
MAX.
100
1
50
100
150
13
3
UNIT
I
CBO
I
CEO
collector cut-off current
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
=
50 V
I
B
= 0; V
CE
=
30 V
I
B
= 0; V
CE
=
30 V; T
j
= 150
°
C
I
C
= 0; V
EB
=
4 V
I
C
=
1 mA; V
CE
=
5 V
I
C
=
10 mA; I
B
=
0.5 mA
nA
μ
A
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
V
CEsat
R1
C
c
emitter cut-off current
DC current gain
collector-emitter saturation voltage
input resistor
collector capacitance
mV
k
pF
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10 V; f = 1 MHz
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