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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PDT4008 |
| 廠(chǎng)商： | NIHON INTER ELECTRONICS CORP |
| 元件分類(lèi)： | 晶閘管 |
| 英文描述： | THYRISTOR MODULE |
| 中文描述： | 630 A, 800 V, SCR |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 298K |
| 代理商： | PDT4008 |
Electrical
Thermal Characteristics
Maximum Value.
Min.
Typ.
0.25
Characteristics
Symbol
Test Conditions
Max.
50
50
1.35
300
150
80
5
3
2
Unit
Peak Off-State Current
Peak Reverse Current
Peak Forward Voltage
I
DM
I
RM
V
TM
V
DM
= V
DRM,
Tj= 125
°
C
V
RM
= V
RRM,
Tj= 125
°
C
I
TM
= 1300A, Tj=25
°
C
mA
mA
V
Tj=-40
°
C
Tj=25
°
C
Tj=125
°
C
Tj=-40
°
C
Tj=25
°
C
Tj=125
°
C
Gate Current to Trigger
I
GT
V
D
=6V,I
T
=1A
mA
Gate Voltage to Trigger
V
GT
V
D
=6V,I
T
=1A
V
Gate Non-Trigger Voltage
Critical Rate of Rise of Off-State
Voltage
V
GD
V
D
=2/3V
DRM
Tj=125
°
C
V
dv/dt V
D
=2/3V
DRM
Tj=125
°
C
500
V/
μ
s
Turn-Off Time
tq
I
TM
=I
O
,V
D
=2/3V
DRM
dv/dt=20V/
μ
s, V
R
=100V
-di/dt=20A/
μ
s, Tj=125
°
C
100
μ
s
Turn-On Time
Delay Time
Rise Time
Latching Current
Holding Current
tgt
td
tr
I
L
I
H
6
2
4
μ
s
μ
s
μ
s
mA
V
D
=2/3V
DRM
Tj=125
°
C
I
G
=300mA, di
G
/dt=0.2A/
μ
s
Tj=25
°
C
Tj=25
°
C
150
60
Rth(j-c) Junction to Case
Rth(c-f)Base Plate to Heat Sink
with Thermal Compound
0.12
Thermal Resistance
0.05
°
C/W
Value Per 1Arm
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PDM1405HA | MOSFET MODULE Dual 140A/500V |
| PDM755HA | MOSFET 75A 500A |
| PDMB400C12 | PDMB400C12 |
| PE-1210FT560KTT | RF CHIP INDUCTORS |
| PE-1210FT561KTT | RF CHIP INDUCTORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PDT4008_1 | 制造商:NIEC 制造商全稱(chēng):Nihon Inter Electronics Corporation 功能描述:400A Avg 800 Volts |
| PDT47/25K | 制造商:NEM 功能描述:DT647X25.2 S9M6B |
| PDT4725K | 制造商:NEM 功能描述:DT647X25.2 S9M6B |
| PDT-50-10 | 制造商:WABASH 制造商全稱(chēng):Wabash Transformer Inc. 功能描述:The Compact Power Transformer |
| PDT-50-12 | 制造商:WABASH 制造商全稱(chēng):Wabash Transformer Inc. 功能描述:The Compact Power Transformer |
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