參數(shù)資料
型號(hào)： PDH4008
廠商： NIHON INTER ELECTRONICS CORP
元件分類(lèi)： 晶閘管
英文描述： THYRISTOR MODULE
中文描述： 630 A, 800 V, SCR
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 298K
代理商： PDH4008
Electrical
Thermal Characteristics
Maximum Value.
Min.
Typ.
0.25
Characteristics
Symbol
Test Conditions
Max.
50
50
1.35
300
150
80
5
3
2
Unit
Peak Off-State Current
Peak Reverse Current
Peak Forward Voltage
I
DM
I
RM
V
TM
V
DM
= V
DRM,
Tj= 125
°
C
V
RM
= V
RRM,
Tj= 125
°
C
I
TM
= 1300A, Tj=25
°
C
mA
mA
V
Tj=-40
°
C
Tj=25
°
C
Tj=125
°
C
Tj=-40
°
C
Tj=25
°
C
Tj=125
°
C
Gate Current to Trigger
I
GT
V
D
=6V,I
T
=1A
mA
Gate Voltage to Trigger
V
GT
V
D
=6V,I
T
=1A
V
Gate Non-Trigger Voltage
Critical Rate of Rise of Off-State
Voltage
V
GD
V
D
=2/3V
DRM
Tj=125
°
C
V
dv/dt V
D
=2/3V
DRM
Tj=125
°
C
500
V/
μ
s
Turn-Off Time
tq
I
TM
=I
O
,V
D
=2/3V
DRM
dv/dt=20V/
μ
s, V
R
=100V
-di/dt=20A/
μ
s, Tj=125
°
C
100
μ
s
Turn-On Time
Delay Time
Rise Time
Latching Current
Holding Current
tgt
td
tr
I
L
I
H
6
2
4
μ
s
μ
s
μ
s
mA
V
D
=2/3V
DRM
Tj=125
°
C
I
G
=300mA, di
G
/dt=0.2A/
μ
s
Tj=25
°
C
Tj=25
°
C
150
60
Rth(j-c) Junction to Case
Rth(c-f)Base Plate to Heat Sink
with Thermal Compound
0.12
Thermal Resistance
0.05
°
C/W
Value Per 1Arm
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PDT4008 THYRISTOR MODULE
PDM1405HA MOSFET MODULE Dual 140A/500V
PDM755HA MOSFET 75A 500A
PDMB400C12 PDMB400C12
PE-1210FT560KTT RF CHIP INDUCTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PDH4920MT6R8 制造商:SEI Stackpole Electronics Inc 功能描述:Inductor Power Unshielded Wirewound 6.8uH 20% 100KHz Ferrite 6.2A 19mOhm DCR T/R 制造商:SEI Stackpole Electronics Inc 功能描述:Ind Power Unshielded Wirewound 6.8uH 20% 100KHz Ferrite 6.2A T/R
PDH5022 制造商:SUPERWORLD 制造商全稱(chēng):Superworld Electronics 功能描述:SMD POWER INDUCTORS
PDH5022100MZF 制造商:SUPERWORLD 制造商全稱(chēng):Superworld Electronics 功能描述:SMD POWER INDUCTORS
PDH5022150MZF 制造商:SUPERWORLD 制造商全稱(chēng):Superworld Electronics 功能描述:SMD POWER INDUCTORS
PDH50221R5MZF 制造商:SUPERWORLD 制造商全稱(chēng):Superworld Electronics 功能描述:SMD POWER INDUCTORS
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