型號: | PD57002-01 |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 65V V(BR)DSS | 250MA I(D) | LLCC |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 65V的五(巴西)直|毫安(?。﹟ LLCC |
文件頁數(shù): | 4/4頁 |
文件大小: | 39K |
代理商: | PD57002-01 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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PD57006-01 | RF POWER TRANSISTORS THE LDMOST PLASTIC FAMILY |
PD60T | PIN PHOTODIODES |
PD780336GC-XXX-9EV | Microcontroller |
PD7869 | Optoelectronic |
PD7XX11 | Optoelectronic |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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PD57002-E | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 POWER RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
PD57002-E_10 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs |
PD57002S | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 N-Ch 65 Volt 0.25A RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
PD57002S-E | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 POWER R.F. RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
PD57006 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 N-Ch 65 Volt 1.0 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |