參數(shù)資料
型號： PD55035
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
中文描述： 射頻功率晶體管LdmoST塑料家庭
文件頁數(shù)： 6/14頁
文件大小： 181K
代理商： PD55035
PD55035 - PD55035S
6/14
TYPICAL PERFORMANCE 175 MHz (PD55035S)
Output Power vs. Input Power
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
Pin (W )
P
Vdd = 12.5 V
Idq = 200 mA
f = 175 MHz
Power Gain vs. Output Power
0
5
10
15
20
25
0
10
20
30
40
50
Pout (W)
G
Vdd = 12.5 V
Idq = 200 mA
f = 175 MHz
Efficiency vs. Output Power
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
10
20
30
40
50
Pout (W )
N
Vdd = 12.5 V
Idq = 200 mA
f = 175 MHz
Input Return Loss vs. Output Power
-25
-20
-15
-10
-5
0
0
10
20
30
40
50
Pout (W)
R
Vdd = 12.5 V
Idq = 200 mA
f = 175 MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PD55035S RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
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PD55F160 THYRISTOR MODULE
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參數(shù)描述
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PD55035S 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 N-Ch 40 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
PD55035SE 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
PD55035S-E 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 POWER RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
PD55035STR-E 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 POWER R.F. RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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